TU intern - Mai 2001 - Aktuelles
"Da ist überall Nanotechnologie drin!"
Die Technische Universität Berlin eröffnet ein neues
Labor zur Gasphasenepitaxie
Kooperation von Wissenschaft, Wirtschaft und Politik: Dr. Christoph
Stölzl, Senator für Wissenschaft, Forschung und Kultur
(rechts), und Prof. Dr. Dieter Bimberg bei der Einweihung des
neuen Labors |
Mit einer feierlichen Übergabe und einer öffentlichen
Führung weihte die TU Berlin am 4. Mai 2001 ein neues Labor
zur Halbleiter-Nanoepitaxie ein. Hier werden künftig Halbleiter
- Nanostrukturen mit Atomlagenpräzision - hergestellt, die
in optoelektronischen Bauelementen wie Lasern oder Transistoren
zum Einsatz kommen.
Ohne Halbleitertechnologien ist die Herstellung von Handys und
CD-Spielen oder die Übertragung von Daten in Glasfasernetzen
heute kaum noch denkbar. Das neue Labor wurde im Rahmen des Kompetenzzentrums NanOp
vom Bundesministerium für Bildung und Forschung
(BMBF) und von der AIXTRON AG
mit insgesamt über drei Mio. DM gefördert und ist damit
ein hervorragendes Beispiel für die erfolgreiche Kooperation
zwischen Wissenschaft, Wirtschaft und Politik. Mit dem Labor erhält
die TU Berlin eine der größten und modernsten Anlagen
zur Gasphasenepitaxie an einer deutschen Universität.
Für die Einrichtung des neuen Labors ist die TU Berlin der
richtige Ort, denn Nanotechnologie gehört bereits seit Jahren
zu den erfolgreichsten Forschungsschwerpunkten der Universität.
Auf Initiative und mit finanzieller Unterstützung der Senatsverwaltung
für Wissenschaft, Forschung und Kultur wurde 1994 unter Vorsitz
von Prof. Dr. Dieter Bimberg der Interdisziplinäre Forschungsverbund
Optoelektronik gegründet. Und zum 1. Oktober 1998 initiierte
das BMBF nach einem erfolgreichen Wettbewerb die Einrichtung des
Kompetenzzentrums NanOp mit einer Geschäftsstelle an der
TU Berlin. Hier arbeiten Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler
aus dem In- und Ausland an der Erforschung und Entwicklung neuartiger
Nanotechnologien. Mit dabei waren von Anfang an einer der weltweit
größten und wichtigsten Hersteller von Halbleiterepitaxieanlagen
- die AIXTRON AG aus Aachen - sowie das Ioffe-Institut
aus St. Petersburg.
Die neue Gasphasenepitaxieanlage |
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Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler des Instituts für Festkörperphysik
der TU Berlin arbeiten gegenwärtig im Rahmen des Kompetenzzentrums
NanOp an vier großen Projekten des BMBF. Im Zentrum der
Arbeit steht dabei die anwendungsorientierte Forschung für
wirtschaftliche Produkte wie zum Beispiel das zukünftige
halbleiterbasierte Fernsehen, das ultraschnelle Internet, neue
Rechnerverbindungen für lokale Computernetzwerke, Hochleistungsdiodenlaser
oder innovative physikalische Messtechniken für die Epitaxie
von Halbleitermaterialien.
Vor diesem Hintergrund zeichnete sich frühzeitig ab, dass
die bis dato an der TU Berlin installierten Epitaxieanlagen nicht
ausreichten, um alle empfohlenen und geplanten Projekte durchführen
zu können. An dieser Stelle entschieden das BMBF und die
AIXTRON AG, an der TU Berlin eine der modernsten Vielwaferanlagen
der Firma AIXTRON zu installieren. Die AIXTRON AG stellte hierfür
insgesamt 1,9 Mio. DM zur Verfügung; die Komplementärfinanzierung
von ca. 1,5 Mio. DM kommt vom BMBF.
Die Eröffnungsfeier fand in den Räumen des Instituts
für Festkörperphysik der TU Berlin statt. Hier wurde
die neue Anlage von Prof. Dr. Michael Heuken, Vice President,
Corporate Research and Development der AIXTRON AG Aachen zunächst
an den Berliner Senator für Wissenschaft, Forschung und Kultur,
Dr. Christoph Stölzl, und im Anschluss daran an den TU-Präsidenten
Prof. Dr. Hans-Jürgen Ewers und den Geschäftsführenden
Direktor des Instituts für Festkörperphysik und Vorsitzenden
des Managementkomitees des nationalen Kompetenzzentrums Nanooptoelektronik,
Prof. Dr. Dieter Bimberg, übergeben.
Mirjam Kaplow
Leserbriefe
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