TU intern - Mai 2001 - Aktuelles

"Da ist überall Nanotechnologie drin!"

Die Technische Universität Berlin eröffnet ein neues Labor zur Gasphasenepitaxie


Kooperation von Wissenschaft, Wirtschaft und Politik: Dr. Christoph Stölzl, Senator für Wissenschaft, Forschung und Kultur (rechts), und Prof. Dr. Dieter Bimberg bei der Einweihung des neuen Labors

Mit einer feierlichen Übergabe und einer öffentlichen Führung weihte die TU Berlin am 4. Mai 2001 ein neues Labor zur Halbleiter-Nanoepitaxie ein. Hier werden künftig Halbleiter - Nanostrukturen mit Atomlagenpräzision - hergestellt, die in optoelektronischen Bauelementen wie Lasern oder Transistoren zum Einsatz kommen.

Ohne Halbleitertechnologien ist die Herstellung von Handys und CD-Spielen oder die Übertragung von Daten in Glasfasernetzen heute kaum noch denkbar. Das neue Labor wurde im Rahmen des Kompetenzzentrums NanOp vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) und von der AIXTRON AG mit insgesamt über drei Mio. DM gefördert und ist damit ein hervorragendes Beispiel für die erfolgreiche Kooperation zwischen Wissenschaft, Wirtschaft und Politik. Mit dem Labor erhält die TU Berlin eine der größten und modernsten Anlagen zur Gasphasenepitaxie an einer deutschen Universität.

Für die Einrichtung des neuen Labors ist die TU Berlin der richtige Ort, denn Nanotechnologie gehört bereits seit Jahren zu den erfolgreichsten Forschungsschwerpunkten der Universität. Auf Initiative und mit finanzieller Unterstützung der Senatsverwaltung für Wissenschaft, Forschung und Kultur wurde 1994 unter Vorsitz von Prof. Dr. Dieter Bimberg der Interdisziplinäre Forschungsverbund Optoelektronik gegründet. Und zum 1. Oktober 1998 initiierte das BMBF nach einem erfolgreichen Wettbewerb die Einrichtung des Kompetenzzentrums NanOp mit einer Geschäftsstelle an der TU Berlin. Hier arbeiten Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler aus dem In- und Ausland an der Erforschung und Entwicklung neuartiger Nanotechnologien. Mit dabei waren von Anfang an einer der weltweit größten und wichtigsten Hersteller von Halbleiterepitaxieanlagen - die AIXTRON AG aus Aachen - sowie das Ioffe-Institut aus St. Petersburg.


Die neue Gasphasenepitaxieanlage
Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler des Instituts für Festkörperphysik der TU Berlin arbeiten gegenwärtig im Rahmen des Kompetenzzentrums NanOp an vier großen Projekten des BMBF. Im Zentrum der Arbeit steht dabei die anwendungsorientierte Forschung für wirtschaftliche Produkte wie zum Beispiel das zukünftige halbleiterbasierte Fernsehen, das ultraschnelle Internet, neue Rechnerverbindungen für lokale Computernetzwerke, Hochleistungsdiodenlaser oder innovative physikalische Messtechniken für die Epitaxie von Halbleitermaterialien.

Vor diesem Hintergrund zeichnete sich frühzeitig ab, dass die bis dato an der TU Berlin installierten Epitaxieanlagen nicht ausreichten, um alle empfohlenen und geplanten Projekte durchführen zu können. An dieser Stelle entschieden das BMBF und die AIXTRON AG, an der TU Berlin eine der modernsten Vielwaferanlagen der Firma AIXTRON zu installieren. Die AIXTRON AG stellte hierfür insgesamt 1,9 Mio. DM zur Verfügung; die Komplementärfinanzierung von ca. 1,5 Mio. DM kommt vom BMBF.

Die Eröffnungsfeier fand in den Räumen des Instituts für Festkörperphysik der TU Berlin statt. Hier wurde die neue Anlage von Prof. Dr. Michael Heuken, Vice President, Corporate Research and Development der AIXTRON AG Aachen zunächst an den Berliner Senator für Wissenschaft, Forschung und Kultur, Dr. Christoph Stölzl, und im Anschluss daran an den TU-Präsidenten Prof. Dr. Hans-Jürgen Ewers und den Geschäftsführenden Direktor des Instituts für Festkörperphysik und Vorsitzenden des Managementkomitees des nationalen Kompetenzzentrums Nanooptoelektronik, Prof. Dr. Dieter Bimberg, übergeben.

Mirjam Kaplow


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