Medieninformation Nr. 192 vom 22. August 2006 - Bearbeiter/in: pp |
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Wissenschaftler der TU Berlin entwickelten einzigartiges Gerät zur Beobachtung von Halbleiterkristallen
Erstmals ist es Wissenschaftlern der
TU Berlin gelungen, das Wachstum von Halbleiterkristallschichten direkt zu
beobachten und zu untersuchen. Das von ihnen in den letzten sieben Jahren
entwickelte so genannte Rastertunnelmikroskop erlaubt Einblicke in das Wachstum
der Kristallschichten, die in dieser Detailtreue bisher unbekannt waren. Mit
Halbleiterkristallschichten baut man zum Beispiel Laserdioden für Laserpointer,
CD-Rom-Laufwerke oder Verstärker für Mobilfunkanlagen. Mit dieser Technik wird
es zukünftig möglich sein, das Wachstum genau zu kontrollieren.
„Das Kristallwachstum konnte man bislang nur mit optischen Geräten beobachten,
die allerdings keine einzelnen Atome detektieren können“, erklärt der
Projektleiter Dr. Markus
Pristovsek vom
Institut für Festkörperphysik der TU Berlin. „Unser Mikroskop ist dagegen
erstmals in der Lage, das Kristallwachstum in der Gasphase zu beobachten, wobei
die Bauteile, die eigentlich für eine maximale Hitzeeinwirkung von 200˚C
ausgelegt sind, Temperaturen bis zu 600˚C aushalten müssen.“
Die Schwierigkeiten bei der Entwicklung lagen allerdings nicht nur in den hohen
Temperaturen. Pumpen verursachen außerdem elektrische Störungen und
Schwingungen, die auf ein Zehntel des Atomdurchmessers gedämpft werden mussten.
Daher hielt man es zuvor für unmöglich, unter diesen Bedingungen ein Bild der
Oberfläche im Nanometermaßstab zu erhalten. Dass es den TU-Wissenschaftlern nun
trotzdem gelang, ist einer speziellen Schwingungsdämpfung und einem speziell
entwickelten Kühlmechanismus zu verdanken. Erste Bilder wurden erfolgreich
aufgenommen, und zeigten Stufen aus einzelnen Atomen bei Temperaturen bis 600°C,
den typischen realen Wachstumstemperaturen, die bisher in anderen Aufbauten noch
nie erreicht wurden.
„Dabei wird eine Wolframnadel, an deren Spitze sich ein einziges Atom befindet,
im Abstand eines Atomdurchmessers, also Bruchteile eines Nanometers, über eine
Oberfläche bewegt“, erklärt Markus Pristovsek. „Der je nach Abstand
unterschiedliche Stromfluss erlaubt dann, ein Bild der Höhenstruktur und der
Position einzelner Atome auf der Oberfläche zu gewinnen.“ Neueste Ergebnisse
zeigen, wie sich die Größe von Quantenpunkten unmittelbar nach dem Wachstum
verändert. Das ermöglicht die gezielte Einstellung von Größen und Eigenschaften
der Quantenpunkte.
Das neuartige Rastertunnelmikroskop basiert auf einem Prinzip, für das der
deutsche Physiker Gerd Binnig zusammen mit seinem Schweizer Kollegen Heinrich
Rohrer 1986 den Nobelpreis für Physik erhielt, gleichzeitig mit dem Nobelpreis
für das Elektronenmikroskop von Ernst Ruska, den die TU Berlin ebenfalls zu
ihren berühmten Forschern zählt.
Die siebenjährigen Entwicklungsarbeiten unter der Leitung von Dr. Markus
Pristovsek wurden in der Arbeitsgruppe von Prof. Dr. Wolfgang Richter begonnen.
Fortgeführt wird es nun von dem neu berufenen Prof. Dr. Michael Kneissl.
Finanziert wurden die Arbeiten im Rahmen eines Sonderforschungsbereichs (Sfb
296, Sprecherhochschule TU Berlin: Wachstumskorrelierte Eigenschaften
niederdimensionaler Halbleiterstrukturen), dessen Hauptforschungsobjektes
Quantenpunkte sind, wie sie zum Beispiel in Halbleiterlasern und anderen
optoelektronischen Bauelementen benutzt werden. Die auf lange Sicht angelegte
Förderung machte ein solches Projekt erst durchführbar.
Es stehen Videoclips zur Verfügung, auf denen man direkt verfolgen kann, wie
Quantenpunkte bei 475°C während der Messung verdampfen sowie eine
computeranimierte Aufnahme des Geräts selbst.
http://www.physik.tu-berlin.de/institute/IFFP/kneissl/research/spm/reaktorloop.mpg
http://www.physik.tu-berlin.de/institute/IFFP/kneissl/research/spm/3x3-1.mpg