Halbleiter unter Druck gesetzt

Dr. habil. Alejandro Rodolfo Goñi, Privatdozent am Institut für Festkörperphysik der TU Berlin, erhält den mit 10.000 DM dotierten Karl-Scheel-Preis 1999 der Physikalischen Gesellschaft zu Berlin e.V. Mit der Auszeichnung würdigt die Gesellschaft die Forschungsarbeiten des Physikers zu den optischen Eigenschaften von Halbleitern unter hohem Druck.

Der Karl-Scheel-Preis wird seit 1958 an jüngere Berliner Physiker für herausragende wissenschaftliche Arbeiten vergeben. Er geht auf das Vermächtnis von Professor Karl Scheel und seiner Frau Melida zurück, die der Physikalischen Gesellschaft zu Berlin einen größeren Geldbetrag hinterließen.

Wir möchten Sie hiermit auf die Preisverleihung hinweisen. Im Rahmen der Veranstaltung wird Dr. Goñi einen Vortrag über "Druckinduzierte Übergänge in Halbleiter- und Spinleitersystemen" halten.

Zeit: am Freitag, dem 7. Mai 1999, 17.00 Uhr c.t.

Ort: Magnus-Haus Berlin, Am Kupfergraben 7, 10117 Berlin

In seinen Forschungsarbeiten befaßt sich Dr. Alejandro Rodolfo Goñi mit den elektronischen und optischen Eigenschaften von Halbleitern und niederdimensionalen Halbleiterstrukturen. Halbleiter sind heute unverzichtbar für technische Geräte im Bereich Opto-Elektronik, angefangen von Computerchips bis hin zu Handys und Lasern. Die neuesten technischen Entwicklungen auf dem Sektor der Halbleiterbauelemente verdanken wir den Fortschritten bei den Herstellungsverfahren sogenannter niederdimensionaler Halbleiterstrukturen. Darunter versteht man strukturierte Halbleitermaterialien mit so kleinen Abmessungen, daß das Verhalten des elektronischen Systems maßgeblich durch sogenannte Quanteneffekte beeinflußt wird. Die Untersuchungen von Goñi helfen, die zugrundeliegenden physikalischen Phänomene, auf denen die Funktionsweise solcher Halbleiterstrukturen beruht, besser zu verstehen. Dafür wurden verschiedene experimentelle Techniken eingesetzt, unter anderem das Anlegen extrem hoher hydrostatischer Drücke. Auf diese Weise lassen sich die strukturellen sowie die elektronischen Eigenschaften eines Festkörpers gezielt modifizieren.

Der 1962 in Córdoba/Argentinien geborene Alejandro Rodolfo Goñi studierte Physik an der Nationalen Universität Córdoba und am Balseiro Institut der Nationalen Universität Cuyo. 1989 promovierte er an der Universität Stuttgart, seine Dissertation fertigte er am Max-Planck-Institut für Festkörperforschung in Stuttgart an. Nach einer zweijährigen Tätigkeit als Wissenschaftlicher Mitarbeiter bei den AT&T Bell Laboratories in Murray Hill/USA kehrte Goñi an das Max-Planck-Institut für Festkörperforschung zurück. Seit 1996 ist er Wissenschaftlicher Assistent in der Arbeitsgruppe von Prof. Dr. Christian Thomsen am Institut für Festkörperphysik der TU Berlin, wo er sich mit der "Optischen Spektroskopie an niederdimensionalen Halbleiter- und Spinleitersystemen" beschäftigt. 1998 schloß er seine Habilitation über das Thema "optische Eigenschaften von Halbleitern unter hohem Druck" an der TU Berlin ab.