Hochkarätige Forschungsförderung in der Nanotechnologie

Die TU Berlin weiht ein neues Labor zur Herstellung von Halbleitern ein

Anfang Mai weiht die TU Berlin ein neues Labor zur Halbleiter-Nanoepitaxie ein. Hier werden künftig Halbleiter - Nanostrukturen mit Atomlagenpräzision - hergestellt, die in optoelektronischen Bauelementen wie Lasern oder Transistoren zum Einsatz kommen. Ohne Halbleitertechnologien ist die Herstellung von Handys und CD-Spielern oder die Übertragung von Daten in Glasfasernetzen heute kaum noch denkbar. Das neue Labor wurde im Rahmen des Kompetenzzentrums NanOp vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) und von der AIXTRON AG mit insgesamt über drei Mio. DM gefördert. Mit ihm erhält die TU Berlin eine der größten und modernsten Anlagen zur Gasphasenepitaxie in Deutschland.

Anlässlich der feierlichen Einweihung des Labors veranstaltet die TU Berlin eine Pressekonferenz und eine Führung durch die Anlage, zu denen wir Sie herzlich einladen möchten:

Zeit: am Freitag, dem 4. Mai 2001, um 11.00 Uhr
Ort: TU Berlin, Physikgebäude, Raum PN 561, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Auf dem Podium stehen Ihnen folgende Ansprechpartner Rede und Antwort:

• Dr. Christoph Stölzl, Senator für Wissenschaft, Forschung und Kultur Berlin
• Prof. Dr. Hans-Jürgen Ewers, Präsident der TU Berlin
• Prof. Dr. Michael Heuken, Vice President, Corporate Research and Development, AIXTRON AG Aachen
• Prof. Dr. Dieter Bimberg, Geschäftsführender Direktor des Instituts für Festkörperphysik der TU Berlin und Vorsitzender des Managementkomitees des nationalen Komptenzzentrum Nanooptoelektronik

Im Anschluss an die Führung gibt es bei einem Empfang die Gelegenheit zu Interviews und individuellen Gesprächen mit den beteiligten Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftlern.

Nanotechnologie gehört bereits seit Jahren zu den erfolgreichsten Forschungsschwerpunkten der TU Berlin. Auf Initiative und mit finanzieller Unterstützung der Senatsverwaltung für Wissenschaft, Forschung und Kultur wurde 1994 unter Vorsitz von Prof. Dr. Dieter Bimberg der Interdisziplinäre Forschungsverbund Optoelektronik gegründet. Und zum 1. Oktober 1998 initiierte das BMBF nach einem erfolgreichen Wettbewerb die Einrichtung des Komptenzzentrums NanOp mit einer Geschäftsstelle an der TU Berlin. Hier arbeiten Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler aus dem In- und Ausland an der Erforschung und Entwicklung neuartiger Nanotechnologien. Mit dabei waren von Anfang an einer der weltweit größten und wichtigsten Hersteller von Halbleiterepitaxieanlagen - die AIXTRON AG aus Aachen - sowie das Ioffe-Institut aus St. Petersburg.

Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler des Instituts für Festkörperphysik der TU Berlin arbeiten gegenwärtig im Rahmen des Kompetenzzentrums NanOp an vier großen Projekten des BMBF. Im Zentrum der Arbeit steht dabei die anwendungsorientierte Forschung für wirtschaftliche Produkte wie zum Beispiel das zukünftige halbleiterbasierte Fernsehen, das ultraschnelle Internet, neue Rechnerverbindungen für lokale Computernetzwerke, Hochleistungsdiodenlaser oder innovative physikalische Messtechniken für die Epitaxie von Halbleitermaterialien.

Vor diesem Hintergrund zeichnete sich frühzeitig ab, dass die bis dato an der TU Berlin installierten Epitaxieanlagen zur atomar präzisen Abscheidung von Halbleiternanostrukturen nicht ausreichten, um alle empfohlenen und geplanten Projekte durchführen zu können. An dieser Stelle entschieden das BMBF und die AIXTRON AG, an der TU Berlin eine der modernsten Vielwaferanlagen der Firma AIXTRON zu installieren. Die AIXTRON AG stellte hierfür insgesamt 1,9 Mio. DM zur Verfügung; die Komplementärfinanzierung von ca. 1,5 Mio. DM kommt vom BMBF. Trotz der bekannten Mittelknappheit baute die TU Berlin im Rahmen ihrer eigenen Schwerpunktsetzung in der Forschung in nur wenigen Monaten die entsprechenden Labore am Institut für Festkörperphysik um und stellte damit die Voraussetzungen für die Aufstellung der Anlagen her. Zukünftig werden hier nicht nur für Projekte des BMBF, sondern auch der Europäischen Union, des Landes Berlin und des Sonderforschungsbereichs 296 - Wachstumskorrelierte Eigenschaften niederdimensionaler Halbleiterstrukturen - der Deutschen Forschungsgemeinschaft Nanostrukturen hergestellt.